InP double heterojunction bipolar transistors for terahertz computed tomography

Author:

Coquillat Dominique1,Duhant Alexandre23,Triki Meriam2,Nodjiadjim Virginie4,Konczykowska Agnieszka4,Riet Muriel4,Dyakonova Nina1,Strauss Olivier3,Knap Wojciech1

Affiliation:

1. Laboratoire Charles Coulomb (L2C), University of Montpellier, CNRS, Montpellier, France

2. Department of Research and Development, T-Waves Technologies, Montpellier, France

3. Laboratoire d’Informatique, de Robotique et de Microélectronique de Montpellier (LIRMM), University of Montpellier, CNRS, Montpellier, France

4. III-V Lab, Campus de Polytechnique, 1 Avenue Augustin Fresnel, Palaiseau, France

Funder

Agence Nationale de la Recherche

Publisher

AIP Publishing

Subject

General Physics and Astronomy

Cited by 1 articles. 订阅此论文施引文献 订阅此论文施引文献,注册后可以免费订阅5篇论文的施引文献,订阅后可以查看论文全部施引文献

1. Si, SiGe, InP, III-N, and p-diamond FETs and HBTs for sub-terahertz and terahertz applications;Terahertz, RF, Millimeter, and Submillimeter-Wave Technology and Applications XIII;2020-03-02

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