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Carrier dynamics in laterally strain-modulated InGaAs quantum wells

  • Published:2005-12-26 Issue:26 Volume:87 Page:262103
  • ISSN:0003-6951
  • Container-title:Applied Physics Letters
  • language:en
  • Short-container-title:Appl. Phys. Lett.

Author:

Talalaev Vadim,Tomm Jens W.,Elsaesser Thomas,Zeimer Ute,Fricke Jörg,Knauer Arne,Kissel Heiko,Weyers Markus,Tarasov Georgiy G.,Grenzer J.,Pietsch U.

Publisher

AIP Publishing

Subject

Physics and Astronomy (miscellaneous)

Cited by 4 articles. 订阅此论文施引文献 订阅此论文施引文献，注册后可以免费订阅5篇论文的施引文献，订阅后可以查看论文全部施引文献

1. Photoluminescence (PL) Techniques;Spectroscopic Analysis of Optoelectronic Semiconductors;2016

2. Modeling of carrier lifetimes in uniaxially strained GaAs;Journal of Applied Physics;2012-05-15

3. Carrier dynamics in active-region materials for diode laser applications;SPIE Proceedings;2006-10-18

4. Optically pumped semiconductor disk laser with graded and step indices;Applied Physics Letters;2006-10-09
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