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Parallel conduction in GaAs heterostructures modified by low-energy ion exposure

  • Published:1996 Issue:2 Volume:79 Page:647
  • ISSN:0021-8979
  • Container-title:Journal of Applied Physics
  • language:en
  • Short-container-title:J. Appl. Phys.

Author:

Li F.,Wang T.,Spencer G. F.,Andrews C. C.,Kirk W. P.

Publisher

AIP Publishing

Subject

General Physics and Astronomy

Cited by 1 articles. 订阅此论文施引文献 订阅此论文施引文献，注册后可以免费订阅5篇论文的施引文献，订阅后可以查看论文全部施引文献

1. Sidewall damage in plasma etching of Si/SiGe heterostructures;Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films;2009-07
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