Laser action in GaN pyramids grown on (111) silicon by selective lateral overgrowth

Author:

Bidnyk S.,Little B. D.,Cho Y. H.,Krasinski J.,Song J. J.,Yang W.,McPherson S. A.

Publisher

AIP Publishing

Subject

Physics and Astronomy (miscellaneous)

Cited by 72 articles. 订阅此论文施引文献 订阅此论文施引文献,注册后可以免费订阅5篇论文的施引文献,订阅后可以查看论文全部施引文献

1. III-nitride semiconductor lasers grown on Si;Progress in Quantum Electronics;2021-05

2. Development of nitride microLEDs and displays;Semiconductors and Semimetals;2021

3. Development of microLED;Applied Physics Letters;2020-03-09

4. Three-dimensional micro-billiard lasers: The square pyramid;EPL (Europhysics Letters);2019-07-29

5. Electroluminescence of Single InGaN/GaN Micropyramids;Optics and Spectroscopy;2019-02

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