The influence of Marangoni convection and of the external temperature gradient on the temperature fluctuations in a Czochralski solar silicon process
Author:
Publisher
AIP Publishing
Link
http://aip.scitation.org/doi/pdf/10.1063/5.0001053
Reference10 articles.
1. Formation and elimination of growth striations in dislocation-free silicon crystals
2. Oxygen striations in czochralski silicon crystals
3. Nonlinear analysis of complexities in striations of Czochralski silicon crystals
4. Comparison of Dopant and Oxygen Striations at the Same Point in Czochralski Silicon Crystals
5. H. J. Scheel, J. T. Sielawa – Optimum convection conditions for Czochralski growth of semiconductors, Proceedings of the 6th International Symposium “High Purity Materials in Science and Technology”, Dresden, GDR, May 6-10, 232–244 (1985).
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