Detection of defective FinFET logic ICs by using FFTs
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AIP Publishing
Reference13 articles.
1. Effects of Varying the Fin Width, Fin Height, Gate Dielectric Material, and Gate Length on the DC and RF Performance of a 14-nm SOI FinFET Structure
2. Chip Power-Frequency Scaling in 10/7nm Node
3. S. K. Saha, FinFET devices for VLSI circuits and systems. CRC Press, 2020.
4. Investigation of Device Performance for Fin Angle Optimization in FinFET and Gate-All-Around FETs for 3 nm-Node and Beyond
5. Y. Hashim, “The impact of channel fin width on electrical characteristics of Si-FinFET,” International Journal of Electrical and Computer Engineering, vol. 12, no. 1, 2022.
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