Electrical properties of SiInxPyOz‐InSb metal‐insulator‐semiconductor structures
Author:
Publisher
AIP Publishing
Subject
General Physics and Astronomy
Link
http://aip.scitation.org/doi/pdf/10.1063/1.347240
Reference12 articles.
1. C/V measurements of m.i.s. structures on n-InSb formed by room temperature reactive deposition of Si3N4
2. Chemical composition of the SiO2/InSb interface as determined by x‐ray photoelectron spectroscopy
3. C–U measurements of anodized InSb MOS structures at 77 and 4.2 K
4. Electric Field Effect on Characteristics of Indium Antimonide MOS Structures
5. Investigation of interface peculiarities in anodized p-InSb MOS structures
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