Modeling and analysis of surface potential of single gate fully depleted SOI MOSFET using 2D-Poisson’s equation
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AIP Publishing LLC
Reference18 articles.
1. Short-channel effect in fully depleted SOI MOSFETs
2. Anoop Garg, S.N Sinh and R.P Agarwal,“A 2-D ANALYTICAL THRESHOLD VOLTAGE MODEL FOR SYMMETRIC DOUBLE GATE MOSFET’S USING GREEN’S FUNCTION” J.Nano Electron phys. 2011 SumDU(Sumy State University) 3 (2011) No 1, p. 894–902, PACS numbers: 85.30. – z, 85.30.Dec.
3. S. Pidin and M. Koyanagi, “Two-dimensional analytical subthreshold model and optimal scaling of fully-depleted SOI MOSFET down to 0.1_m channel length,” in Solid State Devices Mat. Tech. Dig., 1996, pp.309–310.
4. Scaling theory for double-gate SOI MOSFET's
5. Analytical models for n/sup +/-p/sup +/ double-gate SOI MOSFET's
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