Real-time optical monitoring of semiconductor epitaxial growth

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Lastras-Martínez A.,Ortega-Gallegos J.,Guevara-Macías L. E.,Ariza-Flores D.,Núñez-Olvera O.,López-Estopier R. E.,Balderas-Navarro R. E.,Lastras-Martínez L. F.

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Reference5 articles.

1. Above-bandgap optical anisotropies in cubic semiconductors: A visible–near ultraviolet probe of surfaces

2. Application of reflectance difference spectroscopy to molecular‐beam epitaxy growth of GaAs and AlAs

3. A multichannel reflectance anisotropy spectrometer for epitaxial growth monitoring

4. A. Lastras-Martínez, J. Ortega-Gallegos, L.E. Guevara-Macías, O. Núñez-Olvera, R. Balderas-Navarro, L.F. Lastras-Martínez, L.A. Lastras-Montaño and M.A. Lastras-Montaño, Appl. Phys. Lett. Material, 2, 032107 (2014).

5. Reflectance–difference spectroscopy of (110) GaAs and InP

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