Modifications of band gap in Si/Ge multilayers through vacuum annealing
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Reference7 articles.
1. Electron–acoustic-phonon interaction and resonant Raman scattering in Ge quantum dots: Matrix and quantum confinement effects
2. Core-level photoemission measurements of valence-band offsets in highly strained heterojunctions: Si-Ge system
3. Soft x-ray reflection from silicon and quartz mirrors
4. Stability of tetrahedrally-bonded amorphous semiconductor multilayers
5. S. M. Chaudhari et. al., Curr. Sci., 82 (3), 305 (2002).
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