Trans-projected-range gettering of copper in high-energy ion-implanted silicon
Author:
Publisher
AIP Publishing
Subject
General Physics and Astronomy
Link
http://aip.scitation.org/doi/pdf/10.1063/1.1311823
Reference15 articles.
1. Proximity gettering with mega‐electron‐volt carbon and oxygen implantations
2. Buried dopant and defect layers for device structures with high-energy ion implantation
3. Oxygen gettering and precipitation at MeV Si+ ion implantation induced damage in silicon
4. MeV-ion-induced damage in Si and its annealing
5. Spatial distribution of defects in ion-implanted and annealed Si: The RP/2 effect
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1. Anomalous diffusion of Au in mega-electron-volt Au implanted SiO2∕Si(100);Journal of Applied Physics;2007-03-15
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