SHI induced damage in electrical properties of silicon NPN BJTs
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Reference6 articles.
1. Dinesh, C.M., Ramani, Radhakrishna, M.C., Dutt, R.N., Khan, S. A., Kanjilal, D. Nucl. Instr. and Meth. B 266 (2008)
2. Radiation effects on bipolar junction transistors induced by 25MeV carbon ions
3. Effect of 100MeV oxygen ion irradiation on silicon NPN power transistor
4. Steady-state analysis of three-photon absorption spectra via density-matrix method in a three-coupled-quantum-well nanostructure
5. A comparative study of 30MeV boron4+ and 60MeV oxygen8+ ion irradiated Si NPN BJTs
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