Improved optical properties of InAs quantum dots for intermediate band solar cells by suppression of misfit strain relaxation-Reference-Cited by-同舟云学术

Improved optical properties of InAs quantum dots for intermediate band solar cells by suppression of misfit strain relaxation

Author:

Xie H.¹²,Prioli R.¹³,Fischer A. M.¹^ORCID,Ponce F. A.¹^ORCID,Kawabata R. M. S.⁴⁵^ORCID,Pinto L. D.⁴⁵,Jakomin R.⁵⁶,Pires M. P.⁵⁷,Souza P. L.⁴⁵

Affiliation:

1. Department of Physics, Arizona State University, Tempe, Arizona 85287-1504, USA

2. School for Engineering of Matter, Transport, and Energy, Arizona State University, Tempe, Arizona 85287-6106, USA

3. Departamento de Física, Pontificia Universidade Católica do Rio de Janeiro, Marques de São Vicente 225, Rio de Janeiro 22452-900 RJ, Brazil

4. LabSem, CETUC, Pontificia Universidade Católica do Rio de Janeiro, Marques de São Vicente 225, Rio de Janeiro 22452-900 RJ, Brazil

5. Instituto Nacional de Ciência e Tecnologia de Nanodispositivos Semicondutores – DISSE – PUC-Rio, RJ, Brazil

6. Campus de Xerem, UFRJ, Duque de Caxias-RJ, Brazil

7. Instituto de Física, UFRJ, Rio de Janeiro-RJ, Brazil

Funder

National Science Foundation (NSF)

Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico (CNPq)

Fundação Carlos Chagas Filho de Amparo à Pesquisa do Estado do Rio de Janeiro (FAPERJ)

Publisher

AIP Publishing

Subject

General Physics and Astronomy

Link

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