Impedance‐Transformation Circuit for Operation at 4.2°K
Author:
Publisher
AIP Publishing
Subject
Instrumentation
Link
http://aip.scitation.org/doi/pdf/10.1063/1.1720813
Reference2 articles.
1. The silicon insulated-gate field-effect transistor
2. An investigation of surface states at a silicon/silicon oxide interface employing metal-oxide-silicon diodes
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