Cosputtered molybdenum silicides on thermal SiO2

Author:

Murarka S. P.,Fraser D. B.,Retajczyk T. F.,Sheng T. T.

Publisher

AIP Publishing

Subject

General Physics and Astronomy

Reference21 articles.

1. R. Wehrmann, inHigh-temperature Materials and Technology, edited by I. E. Campbell and E. M. Scherwood (Wiley, New York, 1967), p. 399.

2. S. P. Murarka, IEEE-IEDM 1979, Technical Digest, p. 454.

3. A New MOS Process Using MoSi2as a Gate Material

4. T. P. Chow, A. J. Steckl, M. E. Motamedi, and D. H. Brown, IEEE-IEDM 1979, Technical Digest, p. 458.

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