1. B. Govoreanu, G. S. Kar, Y.Y. Chen, V. Paraschiv, S. Kubicek, A. Fantini, I. P. Radu, L. Goux, S. Clima, R. Degraeve, N. Jossart, O. Richard, T. Vandeweyer, K. Seo, P. Hendrickx, G. Pourtois, H. Bender, L. Altimime, D. J. Wouters, J. A. Kittl, and M. Jurczak, in Technical Digest—International Electron Devices Meeting (IEEE, 2011), p. 729.
2. Y. S. Chen, H. Y. Lee, P. S. Chen, C. H. Tsai, P. Y. Gu, T. Y. Wu, K. H. Tsai, S. S. Sheu, W. P. Lin, C. H. Lin, P. F. Chiu, W. S. Chen, F. T. Chen, C. Lien, and M. J. Tsai, in Technical Digest—International Electron Devices Meeting (IEEE, 2011), p. 717.
3. Z. Wei, T. Takagi, Y. Kanzawa, Y. Katoh, T. Ninomiya, K. Kawai, S. Muraoka, S. Mitani, K. Katayama, S. Fujii, R. Miyanaga, Y. Kawashima, T. Mikawa, K. Shimakawa, and K. Aono, in Technical Digest—International Electron Devices Meeting (IEEE, 2011), p. 721.
4. Resistive Switches and Memories from Silicon Oxide
5. Etching-dependent reproducible memory switching in vertical SiO2 structures