Ni-B/hBN katkılı TMAB ve sakarinli kaplama malzemelerinde Ni için X-ışını floresans parametrelerinin ve valans elektronik yapısının incelenmesi

Author:

KÖKSAL Oğuz Kağan1,KARAHAN İsmail Hakkı2

Affiliation:

1. ADIYAMAN ÜNİVERSİTESİ, MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ, ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ

2. MUSTAFA KEMAL UNIVERSITY

Abstract

Bu araştırmada, Ni-B alaşımlı kaplamalarda Ni'nin K kabuğu değerlik elektronik yapısı, X-ışını emisyonu ve XRD spektrumları toplanarak incelenmiştir. Elde edilen veriler K beta/K alfa X-ışını yoğunluk oranları ve XRD verileri açısından değerlendirildi. Kaplanmış alaşımlar, bu çalışma için farklı konsantrasyonlarda altıgen bor nitrür (hBN) kullanılarak elektrokimyasal depolama yöntemiyle üretilmiştir. Mevcut örneklere sabit konsantrasyonda sakarin ve trimetilamin boran kompleksi (TMAB) ilave edildi. Mevcut örnekler, 241 Am halka şeklindeki radyoaktif kaynaktan gelen 59.5 keV fotonları tarafından uyarıldı. Örneklerden yayılan K kabuk X-ışınları, 5,9 keV'de 150 eV çözünürlüğe sahip bir Ultra-LEGe dedektörü vasıtasıyla tespit edildi. Ni-B alaşımlarının K kabuğu X-ışını yoğunluk oranları saf Ni ile kontrol edildi. Mevcut sonuçlardaki değişimler, katkılı TMAB ve sakarin içeren Ni-B/hBN kaplama malzemelerinde Ni'nin değerlik elektronik yapılarındaki değişim ile yorumlanmıştır.

Publisher

Gumushane University Journal of Science and Technology Institute

Subject

General Engineering

同舟云学术

1.学者识别学者识别

2.学术分析学术分析

3.人才评估人才评估

"同舟云学术"是以全球学者为主线,采集、加工和组织学术论文而形成的新型学术文献查询和分析系统,可以对全球学者进行文献检索和人才价值评估。用户可以通过关注某些学科领域的顶尖人物而持续追踪该领域的学科进展和研究前沿。经过近期的数据扩容,当前同舟云学术共收录了国内外主流学术期刊6万余种,收集的期刊论文及会议论文总量共计约1.5亿篇,并以每天添加12000余篇中外论文的速度递增。我们也可以为用户提供个性化、定制化的学者数据。欢迎来电咨询!咨询电话:010-8811{复制后删除}0370

www.globalauthorid.com

TOP

Copyright © 2019-2024 北京同舟云网络信息技术有限公司
京公网安备11010802033243号  京ICP备18003416号-3