Oxygen Enhanced Surface Roughening of Si(111) Induced by Low-Energy Xe+ Ion Sputtering

Author:

Miyagawa Takuya1,Inoue Kousuke1,Inoue Masahiko1

Affiliation:

1. Dept. Electric & Electronic Eng., Facult. Eng., Setsunan Univ.

Publisher

Surface Analysis Society of Japan

Reference7 articles.

1. [1] Y.Mizuhara, J.Kato, T.Nagatomi, Y.Takai, T.Aoyama, A.Yoshimoto, M.Inoue, R.Shimizu, Surf. Interface Anal. 35,382(2003).

2. [2] R.Shimizu, and M.Inoue, J. Surf. Anal. 10,154(2003).

3. [3] M.Inoue, K.Kurahashi, and K.Kodama, J. Surf. Anal. 10,197(2003).

4. [4] http://www.ss.teen.setsunan.ac.jp/bbp2004/e-bbpjava.html

5. [5] R.M. Bradley and J.M.E. Harper,J. Vac. Sci. Technol. A6, 2390(1988).

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