1. [4] T. Miyayama, N. Sanada, M. Suzuki, J. S. Hammond, S. -Q. D. Si and A. Takahara: J. Vac. Sci. Technol. A28, L1 (2010).
2. [7] Y. K. Kyoung, H. lk Lee, J. G. Chung, S. Heo, J. C. Lee, Y. J. Cho and H. J. Kang. Surf. Interface Anal., 45, 150 (2013).
3. [8] E. Bourelle, A. Suzuki, A. Sato, T. Seki and J. Matsuo, Jpn. J. Appl. Phys., 43, L1253 (2004).
4. [9] S. Kakuta, S. Sasaki, K. Furusawa, T. Seki, T. Aoki and J. Matsuo, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 843, 183 (2005).
5. [10] N. Toyoda, I. Yamada, The 5th International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials (JSPS Si Symposium), Nov. 10-14, Kona, Hawaii, USA (2008).