Silicon-on-insulator (SOI) complementary metal oxide semiconductor (CMOS) circuits for ultralow power (ULP) applications

Author:

Sugii N.

Publisher

Elsevier

Reference58 articles.

1. 0.1mu m CMOS devices using low-impurity-channel transistors (LICT);Aoki,1990

2. Random dopant induced threshold voltage lowering and fluctuations in sub-0.1μm MOSFET’s: A 3-D ‘atomistic’ simulation study;Asenov;Electron Devices, IEEE Transactions on,1998

3. Lateral interband tunneling transistor in silicon-on-insulator;Aydin;Applied Physics Letters,2004

4. ESD robustness of FDSOI gated diode for ESD network design: thin or thick BOX?;Benoist,2010

5. Analog design in deep sub-micron CMOS;Bult,2000

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