1. E. I. Levin and B. I. Shklovskii, Fiz. Tekh. Poluprovodn. (Leningrad) 18, 856 (1984) [Sov. Phys. Semicond. 18, 534 (1984)].
2. A. S. Vedeneev, A. G. Gaivoronskii, A. G. Zhdan, et al., Appl. Phys. Lett. 64, 2566 (1994).
3. A. S. Vedeneev, A. G. Gaivoronskii, A. G. Zhdan, et al., Pis’ma Zh. Éksp. Teor. Fiz. 60, 457 (1994) [JETP Lett. 60, 475 (1994)].
4. B. I. Shklovskii and A. L. Éfros, Electronic Properties of Doped Semiconductors (Nauka, Moscow, 1979; Springer, New York, 1984).
5. B. A. Aronzon, V. V. Rylkov, A. S. Vedeneev, and J. Leotin, Physica A (Amsterdam) 241, 259 (1997); B. A. Aronzon, A. S. Vedeneev, and V. V. Ryl’kov, Fiz. Tekh. Poluprovodn. (St. Petersburg) 31, 648 (1997) [Semiconductors 31, 551 (1997)].