Photoluminescence of GaAsP/GaInAsP Type-II heterojunctions-Reference-Cited by-同舟云学术

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Photoluminescence of GaAsP/GaInAsP Type-II heterojunctions

Published:2004-12 Issue:12 Volume:30 Page:1033-1035
ISSN:1063-7850
Container-title:Technical Physics Letters
language:en
Short-container-title:Tech. Phys. Lett.

Author:

Vinokurov D. A.,Zorina S. A.,Kapitonov V. A.,Murashova A. V.,Nikolaev D. N.,Stankevich A. L.,Trukan M. K.,Shamakhov V. V.,Tarasov I. S.

Publisher

Pleiades Publishing Ltd

Subject

Physics and Astronomy (miscellaneous)

Link

http://link.springer.com/content/pdf/10.1134/1.1846849.pdf

Reference9 articles.

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1. Photoluminescence of heterostructures with highly strained GaAs quantum wells in Al0.48In0.52As and Ga0.47In0.53As layers;Technical Physics Letters;2006-04

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