1. A. S. Borukhovich, N. I. Ignat’eva, A. I. Galyas, et al., Spin Transistor, PF Patent No. 2008139019 (September 23, 2008).
2. A. S. Borukhovich, N. I. Ignat’eva, A. I. Galyas, et al., Pis’ma Zh. Eksp. Teor. Fiz. 84, 592 (2006) [JETP Lett. 84, 502 (2006)].
3. T. C. Altshuler, Yu. V. Goryunov, and M. S. Bresler, Zh. Eksp. Teor. Fiz. 130, 729 (2006) [JETP 103, 637 (2006)].
4. A. S. Borukhovich, N. I. Ignat’eva, A. I. Galyas, et al., in Proceedings of the 1st International Conference on Nanomaterials Belarus-Russia-Ukraine Nano-2008, (Minsk, 2008), p. 741.
5. A. S. Borukhovich, N. I. Ignat’eva, A. I. Galyas, et al., J. Nanoelectron. Optoelectron. 3, 82 (2008).