1. T. N. Adam, R. T. Troeger, S. K. Ray, P.-C. Lv, and J. Kolodzey, Appl. Phys. Lett. 83, 1713 (2003).
2. P.-C. Lv, R. T. Troeger, T. N. Adam, S. Kim, and J. Kolodzey, Appl. Phys. Lett. 85, 22 (2004).
3. L. E. Vorob’ev, D. A. Firsov, V. A. Shalygin, V. Yu. Panevin, A. N. Safronov, D. V. Tsoi, A. Yu. Egorov, A. G. Gladyshev, and O. V. Bandarenko, Pis’ma Zh. Tekh. Fiz. 32(9), 34 (2006) [Tech. Phys. Lett. 32, 384 (2006)].
4. I. V. Grekhov, P. A. Ivanov, A. S. Potapov, and T. P. Samsonova, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 41, 561 (2007) [Semiconductors 41, 542 (2007)].
5. A. Dargys, A. Cesna, and J. Cundrotas, Semicond. Sci. Technol. 7, 210 (1992).