1. Yu. A. Danilov, E. S. Demidov, Yu. N. Drozdov, V. P. Lesnikov, and V. V. Podol’skii, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 39, 8 (2005) [Semiconductors 39, 4 (2005)].
2. É. B. Kaganovich, I. P. Lisovskii, É. G. Manoilov, and S. A. Zlobin, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 40, 449 (2006) [Semiconductors 40, 443 (2006)].
3. V. F. Gremenok, I. V. Bodnar’, V. Yu. Rud’, Yu. V. Rud’, and H.-W. Schock, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 36, 360 (2002) [Semiconductors 36, 340 (2002)].
4. A. V. Varlashkin, S. I. Krasnosvobodtsev, M. L. Chukharkin, O. V. Snigirev, A. V. Tsikunov, and N. P. Shabanova, Zh. Tekh. Fiz. 77(5), 127 (2007) [Tech. Phys. 52, 660 (2007)].
5. B. Hopp, N. Krezs, Cs. Vass, Z. Tóth, T. Smausz, and F. Ignács, Appl. Surf. Sci. 186, 298 (2002).