1. A. I. Veynger, A. G. Zabrodskii, T. V. Tisne, et al., Semiconductors 32, 557 (1998).
2. L. Zhu, J. Shao, X. Chen, Y. Li, L. Zhu, Z. Qi, T. Lin, W. Bai, X. Tang, and J. Chu, Phys. Rev. B 94, 155201 (2016).
3. A. V. Shestakov, I. I. Fazlizhanov, I. V. Yatsyk, I. F. Gilmutdinov, M. I. Ibragimova, V. A. Shustov, and R. M. Eremina, J. Semicond. 39, 052001 (2018).
4. D. A. Andrianov, F. A., Himelfarb, P. I. Kushnir, E. I. Lopatinsky, V. M. Pashkovsky, A. A. Saveliev, and V. I. Fistul, Sov. Phys. Semicond. 10, 66 (1976).
5. A. E. Belyaev, O. P. Gorodnichiy, Yu. G. Semenov, N. In. Shevchenko, O. A. Bodnaruk, and I. M. Rarenko, Sov. Phys. Semicond. 22, 205 (1988).