1. Zh. I. Alferov, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 32(1), 3 (1998) [Semiconductors 32, 1 (1998)].
2. N. N. Ledentsov, V. M. Ustinov, A. Yu. Egorov, A. E. Zhukov, M. V. Maksimov, I. G. Tabatadze, and P. S. Kop’ev, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 28, 1483 (1994) [Semiconductors 28, 832 (1994)].
3. V. P. Evtikhiev, I. V. Kudryashov, E. Yu. Kotel’nikov, V. E. Tokranov, A. N. Titkov, I. S. Tarasov, and Zh. I. Alferov, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 32, 1482 (1998) [Semiconductors 32, 1323 (1998)].
4. Zh. I. Alferov, A. I. Vasil’ev, S. V. Ivanov, P. S. Kop’ev, N. N. Ledentsov, M. E. Lutsenko, B. Ya. Mel’tser, and V. M. Ustinov, Pis’ma Zh. Tekh. Fiz. 14, 1803 (1988) [Sov. Tech. Phys. Lett. 14, 782 (1988)].
5. D. Schoss, A. Mews, A. Eychmuller, and H. Weller, Phys. Rev. B 49, 17078 (1994).