1. V. I. Korol’kov, V. G. Nikitin, and N. R. Rakhimov, Sov. Tech. Phys. Lett. 2, 369 (1976).
2. Zh. I. Alferov, V. M. Efanov, Yu. M. Zadiranov, A. F. Kardo-Sysoev, V. I. Korol’kov, S. I. Ponomarev, and A. V. Rozhkov, Sov. Tech. Phys. Lett. 12, 529 (1986).
3. V. I. Korol’kov, N. Yu. Orlov, A. V. Rozhkov, F. Yu. Soldatenkov, and M. N. Stepanova, Semiconductors 29, 203 (1995).
4. J. H. Hur, P. Hadizad, S. G. Hummel, K. M. Dzurko, P. D. Darkus, H. R. Fetterman, and M. A. Gundersen, IEEE Trans. Electron Dev. 37, 2520 (1990).
5. J. H. Zhao, T. Burke, D. Larson, M. Weiner, A. Chin, J. M. Ballingel, and T. H. Yu, IEEE Trans. Electron Dev. 40, 817 (1993).