1. W. O. Barnard, G. Myburg, F. D. Auret, S. A. Goodman, and W. E. Meyer, J. Electron. Mater. 25, 1695 (1996).
2. S. J. Eglash, M. Newman, S. Pan, W. E. Spicer, D. M. Collins, and M. P. Zurakowski, IEEE IEDM 83, 119 (1983).
3. S. J. Eglash, M. Newman, S. Pan, D. Mo, K. Shenal, W. E. Spicer, F. A. Ponce, and D. M. Collins, J. Appl. Phys. 81, 5158 (1987).
4. V. I. Shashkin, A. V. Murel’, V. M. Danil’tsev, and O. I. Khrykin, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 36, 537 (2002) [Semiconductors 36, 505 (2002)].
5. V. G. Bozhkov and S. E. Zaitsev, Izv. Vyssh. Uchebn. Zaved., Radiofiz. 47, 769 (2004).