1. N. N. Ageeva, I. L. Bronevoi, A. N. Krivonosov, and S. V. Stegantsov, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 40, 806 (2006).
2. N. N. Ageeva, I. L. Bronevoi, A. N. Krivonosov, et al., Fiz. Tekh. Poluprovodn. 41, 1418 (2007) [Semiconductors 41, 1398 (2007)].
3. N. N. Ageeva, I. L. Bronevoi, A. N. Krivonosov, and T. A. Nalet, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 42, 1053 (2008) [Semiconductors 42, 1037 (2008)].
4. N. N. Ageeva, I. L. Bronevoi, A. N. Krivonosov, et al., Fiz. Tekh. Poluprovodn. 36, 144 (2002) [Semiconductors 36, 136 (2002)].
5. I. L. Bronevoi, A. N. Krivinosov, and T. A. Nalet, Solid State Commun. 98, 903 (1996).