1. B. L. Carter, E. Shaw, T. Olesberg, W. K. Chan, T. C. Hasenberg, and M. E. Flatte, Electron. Lett. 36, 1301 (2000).
2. S. A. Karandashev, B. A. Matveev, M. A. Remennyi, A. A. Shlenskii, L. S. Lunin, V. I. Ratushnyi, A. V. Koryuk, and N. G. Tarakanova, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 41, 1389 (2007) [Semiconductors 41, 1369 (2007)].
3. M. H. M. Reddy, J. T. Olesberg, C. Cao, and J. P. Prineas, Semicond. Sci. Technol. 21, 267 (2006).
4. B. E. Zhurtanov, N. D. Il’inskaya, A. N. Imenkov, M. P. Mikhailova, K. V. Kalinina, M. A. Sipovskaya, N. D. Stoyanov, and Yu. P. Yakovlev, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 42, 468 (2008) [Semiconductors 42, 458 (2008)].
5. N. V. Zotova, N. D. Il’inskaya, S. A. Karandashev, B. A. Matveev, M. A. Remennyi, N. M. Stus’, and A. A. Shlenskii, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 40, 356 (2006) [Semiconductors 40, 351 (2006)].