1. M. Kondow, K. Uomi, A. Niwa, T. Kitatani, S. Watahiki, and Y. Yazawa, Jpn. J. Appl. Phys. 35, 1273 (1996).
2. J. W. Matthews and A. E. Blakeslee, J. Cryst. Growth 27, 118 (1974).
3. A. Yu. Egorov, A. E. Zhukov, P. S. Kop’ev, N. N. Ledentsov, M. V. Maksimov, V. M. Ustinov, A. F. Tsatsul’nikov, Zh. I. Alferov, D. L. Fedorov, and D. Bimberg, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 30, 1345 (1996) [Semiconductors 30, 1376 (1996)].
4. Y. Arakawa and H. Sakaki, Appl. Phys. Lett. 40, 939 (1982).
5. A. E. Zhukov, A. Yu. Egorov, A. R. Kovsh, V. M. Ustinov, N. N. Ledentsov, M. V. Maksimov, A. F. Tsatsul’nikov, S. V. Zaitsev, N. Yu. Gordeev, P. S. Kop’ev, D. Bimberg, and Zh. I. Alferov, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 31, 483 (1997) [Semiconductors 31, 411 (1997)].