1. T. N. Danilova, A. N. Imenkov, V. V. Sherstnev, and Yu. P. Yakovlev, Fiz. Tekh. Poluprovodn. (St. Petersburg) 34(11), 1396 (2000) [Semiconductors 34, 1343 (2000)].
2. A. N. Baranov, T. N. Danilova, O. G. Ershov, et al., Pis’ma Zh. Tekh. Fiz. 18(22), 6 (1992) [Sov. Tech. Phys. Lett. 18, 725 (1992)].
3. D. Z. Garbuzov, A. V. Tikunov, and V. B. Khalfin, Fiz. Tekh. Poluprovodn. (Leningrad) 21, 1085 (1987) [Sov. Phys. Semicond. 21, 662 (1987)].
4. Yu. P. Yakovlev, A. N. Baranov, A. N. Imenkov, et al., Kvantovaya Élektron. (Moscow) 20, 839 (1993).
5. P. G. Eliseev and A. P. Bogatov, Tr. Fiz. Inst. Akad. Nauk SSSR 116, 15 (1986).