Growing InAs/GaAs quantum dots by droplet epitaxy under MOVPE conditions-Reference-Cited by-同舟云学术

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Growing InAs/GaAs quantum dots by droplet epitaxy under MOVPE conditions

Published:2016-07 Issue:7 Volume:42 Page:747-749
ISSN:1063-7850
Container-title:Technical Physics Letters
language:en
Short-container-title:Tech. Phys. Lett.

Author:

Surnina M. A.,Akchurin R. Kh.,Marmalyuk A. A.,Bagaev T. A.,Sizov A. L.

Publisher

Pleiades Publishing Ltd

Subject

Physics and Astronomy (miscellaneous)

Link

http://link.springer.com/content/pdf/10.1134/S1063785016070294.pdf

Reference9 articles.

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1. Quantum Dots;Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (MOVPE);2019-08-30

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