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Spectral shift of photoluminescence bands of the (SiC)1−x (AlN)x epitaxial films due to laser annealing

  • Published:2000-08 Issue:8 Volume:34 Page:891-893
  • ISSN:1063-7826
  • Container-title:Semiconductors
  • language:en
  • Short-container-title:Semiconductors

Author:

Safaraliev G. K.,Émirov Yu. N.,Kurbanov M. K.,Bilalov B. A.

Publisher

Pleiades Publishing Ltd

Subject

Condensed Matter Physics,Atomic and Molecular Physics, and Optics,Electronic, Optical and Magnetic Materials

Reference11 articles.

1. G. P. Yablonskii, Fiz. Tekh. Poluprovodn. (Leningrad) 18, 918 (1984) [Sov. Phys. Semicond. 18, 570 (1984)].

2. G. P. Yablonskii, Fiz. Tverd. Tela (Leningrad) 26, 995 (1984) [Sov. Phys. Solid State 26, 607 (1984)].

3. V. I. Levin, Yu. M. Tairov, and V. F. Tsvetkov, Fiz. Tekh. Poluprovodn. (Leningrad) 18, 1194 (1984) [Sov. Phys. Semicond. 18, 747 (1984)].

4. Yu. A. Vodakov, G. A. Lomakina, E. N. Mokhov, et al., Fiz. Tekh. Poluprovodn. (Leningrad) 20, 2153 (1986) [Sov. Phys. Semicond. 20, 1347 (1986)].

5. Materials for Electrical Engineering: A Reference Book (Énergoatomizdat, Leningrad, 1988), Vol. 3, p. 464.

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