1. Properties of Advanced Semiconductor Materials: GaN, AlN, InN, BN, SiC, SiGe, Ed. by M. E. Levinshtein, S. L. Rumyantsev, and M. S. Shur (Wiley, Hoboken, NJ, 2001).
2. A. A. Lebedev, Semicond. Sci. Technol. 21, R17 (2006).
3. A. A. Lebedev, P. L. Abramov, V. V. Zelenin, E. V. Bogdanova, S. P. Lebedev, D. K. Nel’son, B. S. Razbirin, M. P. Shcheglov, and A. S. Tregubova, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 41, 273 (2007) [Semiconductors 41, 263 (2007)].
4. A. A. Lebedev, V. V. Zelenin, P. L. Abramov, S. P. Lebedev, A. N. Smirnov, L. M. Sorokin, M. P. Shcheglov, and R. Yakimova, Pis’ma Zh. Tekh. Fiz. 33(12), 61 (2007) [Tech. Phys. Lett. 33, 524 (2007)].
5. F. R. Chien, S. R. Nutt, W. S. Yoo, T. Kimoto, and H. Matsunami, J. Mater. Res. 9, 940 (1994).