1. J. E. Huffman, A. G. Crouse, B. L. Halleck, et al., J. Appl. Phys. 72, 273 (1992).
2. D. G. Esaev and S. P. Sinitsa, Fiz. Tekh. Poluprovodn. (St. Petersburg) 35, 474 (2001) [Semiconductors 35, 459 (2001)].
3. D. Smirnov, C. Becker, O. Drachenko, et al., Phys. Rev. B 66, 121305 (2002).
4. C. Becker, C. Sirtory, O. Drachenko, et al., Appl. Phys. Lett. 81, 2941 (2002).
5. A. B. Aronzon, D. Yu. Kovalev, A. M. Kozlov, et al., Fiz. Tekh. Poluprovodn. (St. Petersburg) 32, 192 (1998) [Semiconductors 32, 174 (1998)].