1. N. N. Ledentsov, V. A. Shchukin, M. Grundmann, N. Kirstaedter, J. Böhrer, O. Schmidt, D. Bimberg, V. M. Ustinov, A. Yu. Egorov, A. E. Zhukov, P. S. Kop’ev, S. V. Zaitsev, N. Yu. Gordeev, Zh. I. Alferov, A. I. Borovkov, A. O. Kosogov, S. S. Ruvimov, P. Werner, U. Gösele, and J. Heydenrech, Phys. Rev. B 54, 8743 (1996).
2. M. M. Sobolev, E. L. Portnoi, I. M. Gadzhiev, I. M. Bakshaev, V. S. Mikhrin, V. N. Nevedomskii, M. S. Buyalo, and Yu. M. Zadiranov, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 43, 512 (2009) [Semiconductors 43, 490 (2009)].
3. I. N. Stranski and L. Krastanow, Sitzungsberichte d. Acad. d. Wissenschaften in Wien, Abt. lib 146, 797 (1937).
4. B. Partoens and F. M. Peeters, Phys. Rev. Lett. 84, 4433 (2000).
5. M. M. Sobolev, G. E. Cirlin, Yu. B. Samsonenko, N. K. Polyakov, A. A. Tonkikh, and Yu. G. Musikhin, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 39, 131 (2005) [Semiconductors 39, 119 (2005)].