1. V. A. Makara, M. A. Vasil’ev, L. P. Steblenko, O. V. Koplak, A. N. Kurilyuk, Yu. L. Kobzar’, and S. N. Naumenko, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 42, 1061 (2008) [Semiconductors 42, 1044 (2008)].
2. Sh. Makhkamov, N. A. Tursunov, M. Ashurov, R. P. Sandov, and S. V. Martynchenko, Zh. Tekh. Fiz. 69(1), 121 (1999) [Tech. Phys. 44, 110 (1999)].
3. A. A. Skvortsov, A. M. Orlov, A. A. Solov’ev, and D. I. Belov, Fiz. Tverd. Tela 51, 2304 (2009) [Phys. Solid State 51, 2446 (2009)].
4. D. V. Nikolaev, I. V. Antonova, O. V. Naumova, V. P. Popov, and S. A. Smagulova, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 37, 443 (2003) [Semiconductors 37, 426 (2003)].
5. R. E. Stahlbush, G. J. Campisi, J. B. McKitterick, W. Maszara, and P. Roitman, IEEE Trans. Nucl. Sci. 39, 2086 (1992).