1. A. Yu. Leshko, A. V. Lyutetskiĭ, N. A. Pikhtin, S. O. Slipchenko, Z. N. Sokolova, N. V. Fetisova, Yu. A. Ryaboshtan, E. N. Golikova, and I. S. Tarasov, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 36, 1393 (2002) [Semiconductors 36, 1308 (2002)].
2. S. O. Slipchenko, A. V. Lyutetskiĭ, N. A. Pikhtin, N. V. Fetisova, A._Yu. Leshko, Yu. A. Ryaboshtan, E. N. Golikova, and I. S. Tarasov, Pis’ma Zh. Tekh. Fiz. 29(3), 65 (2003) [Tech. Phys. Lett. 29, 115 (2003)].
3. F. Heinrichsdroff, M.-H. Mao, N. Kirstaedter, A. Krost, D. Bimberg, A. O. Kosogov, and P. Werner, Appl. Phys. Lett. 71(1), 22 (1997).
4. S. S. Mikhrin, A. E. Zhukov, A. R. Kovsh, N. A. Maleev, A. P. Vasil’ev, E. S. Semenova, V. M. Ustinov, M. M. Kulagina, E. V. Nikitina, I. P. Soshnikov, Yu. M. Shernyakov, D. A. Livshits, N. V. Kryzhanovskaya, D. S. Sizov, M. V. Maksimov, A. F. Tsatsul’nikov, N. N. Ledentsov, D. Bimberg, and Zh. I. Alferov, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 36, 1400 (2002) [Semiconductors 36, 1315 (2002)].
5. E. C. Le Ru, P. Howe, T. S. Jones, and R. Murray, Phys. Rev. B 67, 165303 (2003).