1. M. Molinary, H. Rinnert, and H. Vergnat, Appl. Phys. Lett. 82, 3877 (2003).
2. V. Ya. Bratus’, V. A. Yukhimchuk, L. I. Berezhinskii, M. Ya. Valakh, I. P. Vorona, I. Z. Indutnyi, T. T. Petrenko, P. E. Shepelyavyi, and I. B. Yanchuk, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 35, 854 (2001) [Semiconductors 35, 821 (2001)].
3. D. Nesheva, C. Raptis, A. Perakis, I. Bineva, Z. Aneva, Z. Levi, S. Alexandrova, and H. Hofmeister, J. Appl. Phys. 92, 4678 (2002).
4. I. P. Lisovskii, I. Z. Indutnyi, B. N. Gnennyi, P. M. Litvin, D. O. Mazunov, A. S. Oberemok, N. V. Sopinskii, and P. E. Shepelyavyi, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 37, 98 (2003) [Semiconductors 37, 97 (2003)].
5. J. Heitmann, F. Müller, and M. Zacharias, U. Gösele, Adv. Mater. 17, 795 (2005).