1. N. N. Ledentsov, V. A. Shchukin, M. Grundmann, N. Kirstaedter, J. Böhrer, O. Schmidt, D. Bimberg, V. M. Ustinov, A. Yu. Egorov, A. E. Zhukov, P. S. Kop’ev, S. V. Zaitsev, N. Yu. Gordeev, Zh. I. Alferov, A. I. Borovkov, A. O. Kosogov, S. S. Ruvimov, P. Werner, U. Gösele, and J. Heydenrech, Phys. Rev. B 54, 8743 (1996).
2. M. M. Sobolev, G. É. Tsyrlin, Yu. B. Samsonenko, N. K. Polyakov, A. A. Tonkikh, and Yu. G. Musikhin, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 39, 131 (2005) [Semiconductors 39, 119 (2005)].
3. M. M. Sobolev, A. E. Zhukov, A. P. Vasil’ev, E. S. Semenova, V. S. Mikhrin, G. É. Tsyrlin, and Yu. G. Musikhin, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 40, 84 (2006) [Semiconductors 40, 331 (2006)].
4. V. Aimez, J. Beauvais, J. Beerens, S. L. Ng, and B. S. Ooi, Appl. Phys. Lett. 79, 3582 (2001).
5. A. Gubenko, D. Livshits, I. Krestnikov, S. Mikhrin, A. Kozhukhov, A. Kovsh, N. Ledentsov, A. Zhukov, and E. Portnoi, Electron. Lett. 41, 1124 (2005).