1. Yu. N. Buzynin, S. A. Gusev, Yu. N. Drozdov, Z. F. Krasil’nik, A. V. Murel’, D. G. Revin, V. N. Shashkin, and I. V. Shuleshova, Poverkhnost, No. 5, 40 (1996).
2. N. S. Averkiev, L. P. Kazakova, É. A. Lebedev, Yu. V. Rud’, A. N. Smirnov, and N. N. Smirnova, Fiz. Tekh. Poluprovodn. (St. Petersburg) 34, 757 (2000) [Semiconductors 34, 732 (2000)].
3. A. D. Grozaw and N. I. Leporda, Fiz. Tverd. Tela (St. Petersburg) 38, 1924 (1996) [Phys. Solid State 38, 1063 (1996)].
4. D. P. Yu, Y. J. Xing, Q. L. Hang, et al., Physica E (Amsterdam) 9, 305 (2001).
5. E. S. Demidov, Pis’ma Zh. Éksp. Teor. Fiz. 71, 513 (2000) [JETP Lett. 71, 351 (2000)].