1. T. W. Andre, J. J. Nahas, C. K. Subramanian, B. J. Garni, H. S. Lin, A. Omair, and W. L. Martino, IEEE J. Solid-State Circuits 40, 301 (2005).
2. B. N. Engel, J. Akerman, B. Butcher, R. W. Dave, M. DeHerrera, M. Durlam, G. Grynkewich, J. Janesky, S. V. Pietambaram, N. D. Rizzo, J. M. Slaughter, K. Smith, J. J. Sun, and S. Tehrani, IEEE Trans. Magn. 41, 132 (2005).
3. S.-C. Oh, S.-Y. Park, A. Manchon, M. Chshiev, J.-H. Han, H.-W. Lee, J.-E. Lee, K.-T. Nam, Y. Jo, Y.-C. Kong, B. Dieny, and K.-J. Lee, Nat. Phys. 5, 898 (2009).
4. J. C. Sankey, Y.-T. Cui, J. Z. Sun, J. C. Slonczewski, R. A. Buhrman, and D. C. Ralph, Nat. Phys. 4, 67 (2007).
5. J. G. Alzate, P. Kh. Amiri, P. Upadhyaya, S. S. Cherepov, J. Zhu, M. Lewis, R. Dorrance, J. A. Katine, J. Langer, K. Galatsis, D. Markovic, I. Krivorotov, and K. L. Wang, in Proceedings of the 2012 International Electron Devices Meeting IEDM 2012, San Francisco, CA, December 10–13, 2012 (IEEE, Piscataway, NJ, 2012), p. 2.5.1.