Technologies for creating radiation-resistant VLSI

Author:

Zhuravleva I.1,Popova Elena2

Affiliation:

1. Filial Rostovskogo gosudarstvennogo universiteta putey soobscheniya v g. Voronezhe

2. Voronezh State University of Forestry and Technologies named after G.F. Morozov

Abstract

The technology of radiation-resistant CMOS VLSI is based on industrial IC technology. The design uses feedback circuits and guard rings to compensate for single effects of cosmic particles (SEE). In most critical cases, these influences in digital circuits lead to single faults (SEU), which temporarily disrupt the state of memory cells, to latching (SEL), and in the long term to a catastrophic change of state. Various space programs confirm great prospects for their use in future space structures. The article discusses the effects of using radiation-resistant CMOS technology, technology based on a silicon-on-sapphire structure, CMOS technology on an insulating substrate taking into account typical characteristics, SIMOX-SOI technology, which consists in separation by implantation of oxygen ions. In new designs of circuits, more advanced algorithms should be implemented for the future.

Publisher

Infra-M Academic Publishing House

Subject

General Medicine

Reference15 articles.

1. Semkin, N.D. Calculating the current in the measurement circuit of a high-velocity microparticle detector / N.D. Semkin, A.M. Telegin // Measurement techniques. – 2017. – Т. 59, № 12. – С. 1304-1309. – DOI: 10.1007/s11018-017-1133-3, Semkin, N.D. Calculating the current in the measurement circuit of a high-velocity microparticle detector / N.D. Semkin, A.M. Telegin // Measurement techniques. – 2017. – T. 59, № 12. – S. 1304-1309. – DOI: 10.1007/s11018-017-1133-3

2. Радиационные условия на орбите и поверхности Марса / И.П. Безродных, Е.И. Морозова, А.А. Петрукович, В.Т. Семёнов // Вопросы электромеханики. Труды ВНИИЭМ. – 2014. – Т. 138, № 1. – С. 53-57., Radiacionnye usloviya na orbite i poverhnosti Marsa / I.P. Bezrodnyh, E.I. Morozova, A.A. Petrukovich, V.T. Semenov // Voprosy elektromehaniki. Trudy VNIIEM. – 2014. – T. 138, № 1. – S. 53-57.

3. Современные условия эксплуатации микросхем космического назначения / В.К. Зольников, В.П. Крюков, А.Ю. Кулай [и др.] // Информационные технологии в управлении и моделировании мехатронных систем. материалы 1-й научно-практической международной конференции. – Тамбов, 2017. – С. 119-126., Sovremennye usloviya ekspluatacii mikroshem kosmicheskogo naznacheniya / V.K. Zol'nikov, V.P. Kryukov, A.Yu. Kulay [i dr.] // Informacionnye tehnologii v upravlenii i modelirovanii mehatronnyh sistem. materialy 1-y nauchno-prakticheskoy mezhdunarodnoy konferencii. – Tambov, 2017. – S. 119-126.

4. Алгоритмическая основа моделирования и обеспечения защиты типовых КМОП элементов в процессе проектирования / В.К Зольников, В.А. Смерек, В.И. Анциферова, С.А. Евдокимова // Моделирование систем и процессов. – 2013. – № 3. – С. 14-16. – DOI: 10.12737/2382, Algoritmicheskaya osnova modelirovaniya i obespecheniya zaschity tipovyh KMOP elementov v processe proektirovaniya / V.K Zol'nikov, V.A. Smerek, V.I. Anciferova, S.A. Evdokimova // Modelirovanie sistem i processov. – 2013. – № 3. – S. 14-16. – DOI: 10.12737/2382

5. Разработка проектной среды и оценка технологичности производства микросхемы с учетом стойкости к специальным факторам на примере СБИС 1867ВЦ6Ф / В.А. Скляр, В.А. Смерек, К.В. Зольников [и др.] // Моделирование систем и процессов. - 2020. - Т. 13, № 1. - С. 77-82. – DOI: 10.12737/2219-0767-2020-13-1-77-82., Razrabotka proektnoy sredy i ocenka tehnologichnosti proizvodstva mikroshemy s uchetom stoykosti k special'nym faktoram na primere SBIS 1867VC6F / V.A. Sklyar, V.A. Smerek, K.V. Zol'nikov [i dr.] // Modelirovanie sistem i processov. - 2020. - T. 13, № 1. - S. 77-82. – DOI: 10.12737/2219-0767-2020-13-1-77-82.

同舟云学术

1.学者识别学者识别

2.学术分析学术分析

3.人才评估人才评估

"同舟云学术"是以全球学者为主线,采集、加工和组织学术论文而形成的新型学术文献查询和分析系统,可以对全球学者进行文献检索和人才价值评估。用户可以通过关注某些学科领域的顶尖人物而持续追踪该领域的学科进展和研究前沿。经过近期的数据扩容,当前同舟云学术共收录了国内外主流学术期刊6万余种,收集的期刊论文及会议论文总量共计约1.5亿篇,并以每天添加12000余篇中外论文的速度递增。我们也可以为用户提供个性化、定制化的学者数据。欢迎来电咨询!咨询电话:010-8811{复制后删除}0370

www.globalauthorid.com

TOP

Copyright © 2019-2024 北京同舟云网络信息技术有限公司
京公网安备11010802033243号  京ICP备18003416号-3