Affiliation:
1. KIRKLARELİ ÜNİVERSİTESİ
2. Bilim ve Sanat Merkezi
Abstract
Çoklu (Dört, Beş) kare kuyu tel sistemine dışarıdan uygulanan elektrik ve manyetik alan etkisi altında elektronun bağlanma enerjisi hesaplandı. Bağlanma enerjisinin, dışarıdan uygulanan etkilere ve tel sayısına bağlılığı gösterildi. Çoklu kuantum kuyu yapısı GaAs ve AlxGa1-xAs yarıiletken malzemeden oluşturuldu. Tel yapıya elektrik alan pozitif x doğrultusunda ve manyetik alan ise eksi z yönünde olacak şekilde seçildi. Hesaplamada sonlu farklar yöntemi kullanıldı. Bağlanma enerjisinin farklı alanlar altında tel sayısına bağlılığı gösterildi. Ayrıca dışarıdan uygulanan alanların, elektronun gördüğü potansiyele ve elektronun bulunma olasılığına etkisi gösterildi. Bu tür yapıların detaylı incelenmesi, hem yapının elektronik özelliklerinin teorik olarak anlaşılmasını sağlayacak, hem de teknolojik cihaz üretiminde daha ekonomik bir yol gösterecektir.
Publisher
Kirklareli Universitesi Muhendislik ve Fen Bilimleri Dergisi
Subject
General Materials Science
Reference14 articles.
1. [1] CHUU, D.S., HSIAO,C.M., MEI, W.N., Hydrogenic impurity states inquantum dots andquanyum wires.Physical Review B, 46, 3898-3905, 1992.
2. [2] BOUHASSOUNE, M., CHARROUR, R., FLİYOU, M., BRİA, D., NOUGAOUİ, A., Binding energy of shallow impurities in polar quanyum well wire. Physica B, 304, 389-397, 2001.
3. [3] M. ULAŞ (a), H. AKBAŞ (a), and M.TOMAK (b) ‘‘ShallowDonors in a QuantumWellWire: ElectricFieldandGeometricalEffects’’,Tr. J. of Physics 22, 369 (1998).
4. [4] CHAO, H.T., TRANTHOAI, D.B., Effect of the electric field on a hydrogenic impurity in a quantum wires. Physica B, 205, 273-278, 1995.
5. [5] ULAS, M., AKBAS, H., TOMAK, M.,Shallow donors in a quantum well wire: Electric field and geometrical affects. Phys. Stat. Sol., 200, 67-73, 1997.