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Effect of an Al interlayer on the GaAs/Ge(100) heterojunction formation

  • Published:1985-09-15 Issue:6 Volume:32 Page:4071-4076
  • ISSN:0163-1829
  • Container-title:Physical Review B
  • language:en
  • Short-container-title:Phys. Rev. B

Author:

Katnani A. D.,Chiaradia P.,Cho Y.,Mahowald P.,Pianetta P.,Bauer and R. S.

Publisher

American Physical Society (APS)

Cited by 23 articles. 订阅此论文施引文献 订阅此论文施引文献，注册后可以免费订阅5篇论文的施引文献，订阅后可以查看论文全部施引文献

1. Crystal Interfaces;Semiconductor Physics;2020

2. Crystal Interfaces;Semiconductor Physics;2018

3. Crystal Interfaces;Semiconductor Physics;2017

4. Crystal Interfaces;Semiconductor Physics;2015

5. Semiconductor Heterojunctions;Surfaces and Interfaces of Electronic Materials;2012-12-28
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