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Interstitial oxygen in germanium and silicon

  • Published:1997-08-15 Issue:7 Volume:56 Page:3820-3833
  • ISSN:0163-1829
  • Container-title:Physical Review B
  • language:en
  • Short-container-title:Phys. Rev. B

Author:

Artacho Emilio,Ynduráin Félix,Pajot Bernard,Ramírez Rafael,Herrero Carlos P.,Khirunenko Ludmila I.,Itoh Kohei M.,Haller Eugene E.

Publisher

American Physical Society (APS)

Cited by 55 articles. 订阅此论文施引文献 订阅此论文施引文献，注册后可以免费订阅5篇论文的施引文献，订阅后可以查看论文全部施引文献

1. Siliziumwafer – Basis der Chips;Handbuch energiesparende Halbleiterbauelemente – Hochintegrierte Chips;2023

2. Ge-rich graded SiGe waveguides and interferometers from 5 to 11 µm wavelength range;Optics Express;2020-04-14

3. Germanium-on-silicon waveguides operating at mid-infrared wavelengths up to 85 μm;Optics Express;2017-10-24

4. High-Throughput Screening of Extrinsic Point Defect Properties in Si and Ge: Database and Applications;Chemistry of Materials;2016-12-27

5. Phase transitions in mayenite;Journal of Thermal Analysis and Calorimetry;2016-02-08
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