Hydrogen passivation studies on Pd–n-type-Si diodes

Author:

Tripathi D.,Srivastava P. C.,Chandra S.

Publisher

American Physical Society (APS)

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1. Hydrogen Diffusion Study via Phosphorus Deactivation in n-Type Silicon;Lecture Notes in Networks and Systems;2023

2. In situ I Vstudy of swift ( 100 MeV) O6 ion-irradiated Pd/n-Si devices;Semiconductor Science and Technology;2002-07-19

3. Silicon device processing in H-ambients: H-diffusion mechanisms and influence on electronic properties;Journal of Electronic Materials;2001-12

4. Hydrogenation studies in p-GaAs;Semiconductor Science and Technology;1998-10-01

5. Hydrogen passivation studies in Pd/n-GaAs devices;Bulletin of Materials Science;1998-04

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