Inevitable Si surface passivation prior to III-V/Si epitaxy: Strong impact on wetting properties
Author:
Funder
Agence Nationale de la Recherche
Publisher
American Physical Society (APS)
Link
http://harvest.aps.org/v2/journals/articles/10.1103/PhysRevB.109.045304/fulltext
Reference37 articles.
1. Direct Growth of III–V/Silicon Triple-Junction Solar Cells With 19.7% Efficiency
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3. Epitaxial III–V/Si Vertical Heterostructures with Hybrid 2D‐Semimetal/Semiconductor Ambipolar and Photoactive Properties
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